Diagramas de fase CVD para la preparación de películas de iridio

Resumen

Se calcularon los diagramas de fase CVD (Chemical Vapor Deposition) para la preparación de películas de iridio empleando el método de minimización de la energía libre de Gibbs. Como precursor se utilizó acetilacetonato de iridio (Ir(acac)₃). Se analizaron las mezclas gaseosas Ir(acac)₃-O₂Ar e Ir(acac)₃-Ar. Las temperaturas de depósito se exploraron desde 300 hasta 800 °C, las presiones totales de 13,3 a 13.332 Pa y las presiones parciales de los gases Ir(acac)₃ y O₂ desde 0,001 hasta 1.000 Pa. Los diagramas Ir-CVD predicen que sin O₂ en la mezcla gaseosa, las películas constan de las fases sólidas Ir+C. En contraste, con adición de O₂ los diagramas Ir-CVD revelan diferentes dominios de fases sólidas que incluyen IrO₂, IrO₂+Ir, Ir e Ir+C. Estos diagramas permiten establecer las presiones totales y temperaturas requeridas para obtener películas de composición deseada. Los resultados predichos por los diagramas Ir-CVD, están en buena concordancia con los obtenidos experimentalmente.