Producción y tratamiento de películas de Si1-xGex mediante técnicas asistidas por láser de excímero

Resumen

El creciente interés que suscita la búsqueda de nuevas técnicas para la obtención de materiales semiconductores, compatibles con la tecnología del silicio, ha llevado a desarrollar un sistema de depósito y postprocesado en alto vacío (HV) de Si-Ge mediante técnicas asistidas por láser excímero. Se han obtenido películas amorfas de germanio mediante el depósito químico en fase vapor inducido por láser (LCVD), que posteriormente han sido recristalizadas con uso de la inducción de epitaxia por medio de láser pulsado (PLIE). Las películas depositadas sobre substratos de silicio fueron caracterizadas mediante XRD, HREM y Raman, revelándose que son amorfas con un alto grado de homogeneidad. Se ha estudiado la morfología y la estequiometría de las muestras por medio de XRD, HREM y XPS tras el tratamiento para inducir la cristalinidad de la aleación sobre el substrato de silicio, observándose la dependencia del grado de heteroepitaxia y variación de la composición en la aleación, con el número y la energía de los pulsos del láser.