Películas delgadas de Al2O3 sobre silicio preparadas por ablación láser

Resumen

Se depositaron películas delgadas de Al₂O₃ por ablación láser sobre Si₃N₄/Si para utilizarlas como aislante térmico y eléctrico en dispositivos sensores de gases. Se analiza la microestructura de estas películas en función de las condiciones de la deposición (densidad de energía del láser, presión de oxígeno, distancia blanco-substrato y temperatura del substrato). Los estudios de difracción de rayos X, utilizando geometría de ángulo rasante, muestran que sólo puede observarse la reflexión coincidente con la (116) del corundum. Cuando las películas se tratan térmicamente a temperaturas superiores a 1.200°C sufren un cambio en su cristalinidad que depende de las condiciones de la deposición. Utilizando microscopía electrónica de barrido (SEM) y análisis por EDAX, se comparan la estequiometría y la morfología de las películas con y sin tratamiento térmico.