Texturado superficial de silicio mediante láser pulsado

Autores/as

  • L. Ponce IMRE-Univ. de La Habana
  • A. Castellanos IMRE-Univ. de La Habana
  • M. Arronte IMRE-Univ. de La Habana
  • T. Flores IMRE-Univ. de La Habana
  • E. Rodríguez IMRE-Univ. de La Habana
  • R. León IMRE-Univ. de La Habana
  • A. Montaigne IMRE-Univ. de La Habana

DOI:

https://doi.org/10.3989/revmetalm.1998.v34.i2.678

Palabras clave:

Láser, Texturado, Silicio, Reflectancia, LIPSS

Resumen


Se realiza el texturado de superficies de silicio con un láser pulsado mediante la formación de una estructura periódica inducida por láser (LIPSS). Se caracteriza el proceso mediante reflectancia dinámica, determinándose el umbral de formación de la estructura. Se caracteriza el nivel de texturado midiendo la reflectancia espectral de las muestras antes y después del tratamiento. El valor medio de la reflectancia espectral disminuye hasta el 6 %.

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Publicado

1998-04-30

Cómo citar

Ponce, L., Castellanos, A., Arronte, M., Flores, T., Rodríguez, E., León, R., & Montaigne, A. (1998). Texturado superficial de silicio mediante láser pulsado. Revista De Metalurgia, 34(2), 144–147. https://doi.org/10.3989/revmetalm.1998.v34.i2.678

Número

Sección

Artículos

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