Revista de Metalurgia, Vol 34, No 2 (1998)

Producción y tratamiento de películas de Si1-xGex mediante técnicas asistidas por láser de excímero


https://doi.org/10.3989/revmetalm.1998.v34.i2.663

J. Castro
Dpto. de Física Aplicada, Univ. de Vigo, España

S. Chiussi
Dpto. de Física Aplicada, Univ. de Vigo, España

J. Serra
Dpto. de Física Aplicada, Univ. de Vigo, España

B. León
Dpto. de Física Aplicada, Univ. de Vigo, España

M. Pérez-Amor
Dpto. de Física Aplicada, Univ. de Vigo, España

S. Martelli
ENEA, Dpto. INN/FIS-SPET, Italia

R. Larciprete
ENEA, Dpto. INN/FIS-SPET, Italia

N. Frangis
Dpt. Physics. Aristotle Univ. of Thessaloniki, Grecia

Resumen


El creciente interés que suscita la búsqueda de nuevas técnicas para la obtención de materiales semiconductores, compatibles con la tecnología del silicio, ha llevado a desarrollar un sistema de depósito y postprocesado en alto vacío (HV) de Si-Ge mediante técnicas asistidas por láser excímero. Se han obtenido películas amorfas de germanio mediante el depósito químico en fase vapor inducido por láser (LCVD), que posteriormente han sido recristalizadas con uso de la inducción de epitaxia por medio de láser pulsado (PLIE). Las películas depositadas sobre substratos de silicio fueron caracterizadas mediante XRD, HREM y Raman, revelándose que son amorfas con un alto grado de homogeneidad. Se ha estudiado la morfología y la estequiometría de las muestras por medio de XRD, HREM y XPS tras el tratamiento para inducir la cristalinidad de la aleación sobre el substrato de silicio, observándose la dependencia del grado de heteroepitaxia y variación de la composición en la aleación, con el número y la energía de los pulsos del láser.

Palabras clave


Láser de excímero; LCVD; PLIE; Germanio; Aleación Si-Ge; Heteroepitaxia

Texto completo:


PDF


Copyright (c) 1998 Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)

Licencia de Creative Commons
Esta obra está bajo una licencia de Creative Commons Reconocimiento 4.0 Internacional.


Contacte con la revista revmetal@cenim.csic.es

Soporte técnico soporte.tecnico.revistas@csic.es