Revista de Metalurgia, Vol 34, No 2 (1998)

Películas delgadas de Al2O3 sobre silicio preparadas por ablación láser


https://doi.org/10.3989/revmetalm.1998.v34.i2.664

A. Lamagna
Dpto. de Física. Comisión Nacional de Energía Atómica, Argentina

S. Duhalde
Dpto. de Física, Fac. de Ingeniería, Univ. de Buenos Aires, Argentina

L. Correrá
Instituto LAMEL-CNR, Italia

S. Nicoletti
Instituto LAMEL-CNR, Italia

Resumen


Se depositaron películas delgadas de Al2O3 por ablación láser sobre Si3N4/Si para utilizarlas como aislante térmico y eléctrico en dispositivos sensores de gases. Se analiza la microestructura de estas películas en función de las condiciones de la deposición (densidad de energía del láser, presión de oxígeno, distancia blanco-substrato y temperatura del substrato). Los estudios de difracción de rayos X, utilizando geometría de ángulo rasante, muestran que sólo puede observarse la reflexión coincidente con la (116) del corundum. Cuando las películas se tratan térmicamente a temperaturas superiores a 1.200°C sufren un cambio en su cristalinidad que depende de las condiciones de la deposición. Utilizando microscopía electrónica de barrido (SEM) y análisis por EDAX, se comparan la estequiometría y la morfología de las películas con y sin tratamiento térmico.

Palabras clave


Alúmina; Deposición por láser pulsado; Ablación láser; Sensores de gases

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